
蚀刻所需的设备主要包括湿法蚀刻设备和干法蚀刻设备。
一、湿法蚀刻设备
湿法蚀刻设备使用化学溶液去除材料,具有成本低、刻蚀速度快和生产率高的优势。常见的湿法蚀刻设备包括:
1.晶圆片清洗设备:用于清洗晶圆片,去除颗粒、有 机物、自然氧化层、金属杂质等污染物。
2.晶圆片刷洗设备:主要用于去除晶圆片表面的颗粒。
3.晶圆片刻蚀设备:用于去除薄膜。
二、干法蚀刻设备
干法蚀刻设备使用气体或等离子体进行刻蚀,适用于先 进制程的小特征尺寸精细刻蚀。常见的干法蚀蚀设备包括:
1.等离子体刻蚀机:基本部件包括反应腔、射频电源、气体流量控制系统和真空系统。常用的化学气体有氟用于刻蚀二氧化硅,氯和氟用于刻蚀铝,氯、氟和溴用于刻蚀硅,氧用于去除光刻胶。
2.离子束刻蚀机:具有较强方向性,适用于小尺寸图形的各向异性刻蚀。
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